Thông số kỹ thuật: Model: NPN – TO92 Điên áp cực đại: VCBO = 160V VCEO = 180V VEBO = 6V Dòng điện cực đại: IC = 600mA Nhiệt độ làm việc: -55oC ~ 150oC
Transistor 2N5551 có cấu tạo gồm 3 lớp bán dẫn ghép với nhau thành 2 mối nối P-N, thuộc loại transistor nghịch NPN. Transistor 2N5551 được sản xuất theo chuẩn TO92, thứ tự các chân từ trái qua phải: E B C. Transistor 2N5551 có điện áp giới hạn lên tới Uce = 160V, dòng điện giới hạn của Transistor 2N5551 Ic = 600mA. Hệ số khuếch đại hFE của Transistor 2N5551 trong khoảng 50 đến 250. Transistor 2N5551 có thể hoạt động ở dải nhiệt độ từ -55oC ~ 150oC. Transistor 2N5551là một transistor công suất 625mW, tuy nhiên tần số làm việc cao. Transistor 2N5401 được sử dụng rỗng rãi trong việc thiết kế mạch khuếch đại cơ bản.